Prva stran - Diski SSD

SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)

Samsung 8806095811673 MZ-VAP1T0CW SSDSAM269
Bar koda: 8806095811673
Šifra SKU: MZ-VAP1T0CW
Naša šifra: SSDSAM269
Garancija: 5 let
SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)
InStock
Na zalogi
172,12 €

Samsung 9100 Pro HeatSink je NVMe 2.0 M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in 1TB prostora. Dosega hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.300 MB/s. Primeren je tako za oblikovalce, fotografe in video urednike, kot tudi za ustvarjanje z umetno inteligenco in za igranje iger. Opremljen s hladilnikom za boljše odvajanje toplote pri dolgotrajnejših obremenitvah.

PCIe 5.0 HITROSTI

Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.

SPOZNAJTE HITROST

Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje. (*odvisno od kapacitete)

 

ŠIROKA KOMPATIBILNOST

9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.

HLADEN IN HITER

Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.

 

Specifikacije

  • Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
  • Oblika: M.2 2280
  • NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
  • Opremljen z hladilnimi režami za boljše odvajanje toplote med delovanjem
  • Kontroler: Samsung
  • Cache pomnilnik: 1 GB LPDDR4X
  • Kapaciteta: 1 TB
  • Hitrost sekvenčnega branja: 14.700 MB/s
  • Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.300 MB/s
  • Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 1850K
  • Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
  • Napajanje:
    • Aktivno: 7.6W / 7.2 W
    • V mirovanju: 4.0 mW / 3.3 mW
  • Inteligentni TurboWrite 2.0: 114 GB
  • Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
  • TBW: 600

Splošno

Format diska M.2
Vodilo PCI-e 5.0 x4 NVMe
Kapaciteta 1.000 GB
Hitrost branja 14.700 MB/s
Hitrost zapisovanja 13.300 MB/s

Podrobnosti

Tip čipov V-NAND TLC
Kontroler Samsung
Naključno branje 1.850.000 IOPS
Naključno zapisovanje 2.600.000 IOPS
Vzdržljivost 600 TBW

B2B

Izdelki so namenjeni samo partnerjem v nadaljnji prodaji.

Prijava za partnerje je dostopna na povezavi.