Prva stran - Diski SSD
-0%

SSD 4TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP4T0BW)

Samsung 8806095811703 MZ-VAP4T0BW SSDSAM268
Bar koda: 8806095811703
Šifra SKU: MZ-VAP4T0BW
Naša šifra: SSDSAM268
Garancija: 5 let
SSD 4TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP4T0BW)
InStock
Na zalogi
549,99 €
-0%
549,99 €

Samsung 9100 Pro je NVMe 2.0 M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in 4TB prostora. Dosega hitrosti branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s. Primeren je tako za oblikovalce, fotografe in video urednike, kot tudi za ustvarjanje z umetno inteligenco in za igranje iger. 

PCIe 5.0 HITROSTI

Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.

SPOZNAJTE HITROST

Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje. (*odvisno od kapacitete)

 

ŠIROKA KOMPATIBILNOST

9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.

HLADEN IN HITER

Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.

 

Specifikacije

  • Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
  • Oblika: M.2 2280
  • NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
  • Kontroler: Samsung
  • Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
  • Kapaciteta: 4 TB
  • Hitrost sekvenčnega branja: 14.800 MB/s
  • Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.400 MB/s
  • Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 2200K
  • Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
  • Napajanje:
    • Aktivno: 9.0 W / 8.2 W
    • V mirovanju: 6.5 mW / 5.7 mW
  • Inteligentni TurboWrite 2.0: 442 GB
  • Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
  • TBW: 2400

Splošno

Format diska M.2
Vodilo PCI-e 5.0 x4 NVMe
Kapaciteta 4.000 GB
Hitrost branja 14.800 MB/s
Hitrost zapisovanja 13.400 MB/s

Podrobnosti

Tip čipov V-NAND TLC
Kontroler Samsung
Naključno branje 2.200.000 IOPS
Naključno zapisovanje 2.600.000 IOPS
Vzdržljivost 2.400 TBW

B2B

Izdelki so namenjeni samo partnerjem v nadaljnji prodaji.

Prijava za partnerje je dostopna na povezavi.